Справочник MOSFET. MSK20P80GNF

 

MSK20P80GNF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MSK20P80GNF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.67 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 149 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1670 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L

 Аналог (замена) для MSK20P80GNF

 

 

MSK20P80GNF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:586K  1
 msk20p80gnf.pdf

MSK20P80GNF MSK20P80GNF

www.msksemi.comMSK20P80GNFSemiconductorCompianceGeneral DescriptionThese P-Channel enhancement mode power field effecttransistors are using trench DMOS technology. Thisadvanced technology has been especially tailored tominimize on-state resistance, provide superior switchingperformance, and withstand high energy pulse in theavalanche and commutation mode. These devices are

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top