MSK20P80GNF - описание и поиск аналогов

 

MSK20P80GNF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSK20P80GNF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.67 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 18 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1670 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для MSK20P80GNF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK20P80GNF даташит

 ..1. Size:586K  1
 msk20p80gnf.pdf pdf_icon

MSK20P80GNF

www.msksemi.com MSK20P80GNF Semiconductor Compiance General Description These P-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are

Другие MOSFET... MCAC80N045Y-TP , MCG10P03-TP , MCG30N03-TP , ME7114S , ME7170 , MEE7816S , MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF , 12N60 , MSK30N03DF , MSK30P02DF , MSK3419DF , MSK50N03DF , MSK50P03NF , MSK60N03DF , MSK7804 , MSK80N03NF .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.