Справочник MOSFET. MSK20P80GNF

 

MSK20P80GNF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSK20P80GNF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.67 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 18 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1670 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для MSK20P80GNF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK20P80GNF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:586K  1
 msk20p80gnf.pdf pdf_icon

MSK20P80GNF

www.msksemi.comMSK20P80GNFSemiconductorCompianceGeneral DescriptionThese P-Channel enhancement mode power field effecttransistors are using trench DMOS technology. Thisadvanced technology has been especially tailored tominimize on-state resistance, provide superior switchingperformance, and withstand high energy pulse in theavalanche and commutation mode. These devices are

Другие MOSFET... MCAC80N045Y-TP , MCG10P03-TP , MCG30N03-TP , ME7114S , ME7170 , MEE7816S , MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF , 4N60 , MSK30N03DF , MSK30P02DF , MSK3419DF , MSK50N03DF , MSK50P03NF , MSK60N03DF , MSK7804 , MSK80N03NF .

History: STB18NF30 | AP4085G | FCP165N60E | BRD7N60 | AUIRF7736M2TR | SL80N03 | ME50N75T

 

 
Back to Top

 


 
.