MSK30P02DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MSK30P02DF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MSK30P02DF

MSK30P02DF Datasheet (PDF)

..1. Size:487K 1
msk30p02df.pdf

www.msksemi.comMSK30P02DFSemiconductorCompianceDescriptionThe MSK30P02DF is the high cell density trenchedD D D DP-ch MOSFETs, which provide excellentRDSON and gate charge for most of thesynchronous buck converter applications.The MSK30P02DF meet the RoHS and GreenS S S GProduct requirement with full function reliabilityapproved.DFN3X3-8LProduct SummaryBVDSS RDS

9.1. Size:5063K 1
msk30n03df.pdf

www.msksemi.comMSK30N03DFSemiconductorCompianceDescription The MSK30N03DF uses advanced trench technology D D D D to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a S S S G Battery protection or in other Switching application. DFN3X3-8LGeneral Features V = 30V I =30 A DS DR

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AO5800E

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: