MSK30P02DF Todos los transistores

 

MSK30P02DF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSK30P02DF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 690 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm

Encapsulados: DFN3X3-8L

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MSK30P02DF datasheet

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MSK30P02DF

www.msksemi.com MSK30P02DF Semiconductor Compiance Description The MSK30P02DF is the high cell density trenched D D D D P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The MSK30P02DF meet the RoHS and Green S S S G Product requirement with full function reliability approved. DFN3X3-8L Product Summary BVDSS RDS

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MSK30P02DF

www.msksemi.com MSK30N03DF Semiconductor Compiance Description The MSK30N03DF uses advanced trench technology D D D D to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a S S S G Battery protection or in other Switching application. DFN3X3-8L General Features V = 30V I =30 A DS D R

Otros transistores... MCG30N03-TP , ME7114S , ME7170 , MEE7816S , MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF , MSK20P80GNF , MSK30N03DF , IRF1010E , MSK3419DF , MSK50N03DF , MSK50P03NF , MSK60N03DF , MSK7804 , MSK80N03NF , NTMFD5875NLT1G , NTMFD5C466NLT1G .

History: AOB286L

 

 

 

 

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