MSK30P02DF - описание и поиск аналогов

 

MSK30P02DF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSK30P02DF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

Аналог (замена) для MSK30P02DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK30P02DF даташит

 ..1. Size:487K  1
 msk30p02df.pdf pdf_icon

MSK30P02DF

www.msksemi.com MSK30P02DF Semiconductor Compiance Description The MSK30P02DF is the high cell density trenched D D D D P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. The MSK30P02DF meet the RoHS and Green S S S G Product requirement with full function reliability approved. DFN3X3-8L Product Summary BVDSS RDS

 9.1. Size:5063K  1
 msk30n03df.pdf pdf_icon

MSK30P02DF

www.msksemi.com MSK30N03DF Semiconductor Compiance Description The MSK30N03DF uses advanced trench technology D D D D to provide excellent R , low gate charge and DS(ON) operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a S S S G Battery protection or in other Switching application. DFN3X3-8L General Features V = 30V I =30 A DS D R

Другие MOSFET... MCG30N03-TP , ME7114S , ME7170 , MEE7816S , MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF , MSK20P80GNF , MSK30N03DF , IRF1010E , MSK3419DF , MSK50N03DF , MSK50P03NF , MSK60N03DF , MSK7804 , MSK80N03NF , NTMFD5875NLT1G , NTMFD5C466NLT1G .

History: SVSP65R050P7HD4

 

 

 

 

↑ Back to Top
.