Справочник MOSFET. MSK30P02DF

 

MSK30P02DF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MSK30P02DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 690 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L

 Аналог (замена) для MSK30P02DF

 

 

MSK30P02DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:487K  1
 msk30p02df.pdf

MSK30P02DF MSK30P02DF

www.msksemi.comMSK30P02DFSemiconductorCompianceDescriptionThe MSK30P02DF is the high cell density trenchedD D D DP-ch MOSFETs, which provide excellentRDSON and gate charge for most of thesynchronous buck converter applications.The MSK30P02DF meet the RoHS and GreenS S S GProduct requirement with full function reliabilityapproved.DFN3X3-8LProduct SummaryBVDSS RDS

 9.1. Size:5063K  1
 msk30n03df.pdf

MSK30P02DF MSK30P02DF

www.msksemi.comMSK30N03DFSemiconductorCompianceDescription The MSK30N03DF uses advanced trench technology D D D D to provide excellent R , low gate charge and DS(ON)operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a S S S G Battery protection or in other Switching application. DFN3X3-8LGeneral Features V = 30V I =30 A DS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top