MSK3419DF Todos los transistores

 

MSK3419DF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSK3419DF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.57 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 194 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: DFN3X3-8L

 Búsqueda de reemplazo de MSK3419DF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MSK3419DF datasheet

 ..1. Size:533K  1
 msk3419df.pdf pdf_icon

MSK3419DF

www.msksemi.com MSK3419DF Semiconductor Compiance Description The MSK3419DF uses advanced trench technology D D D D and design to provide excellent with low RDS(ON) gate charge .Thisdevice is well suited for high current load applications. General Features S S S G V =-30V,I =-30A DS D RDS(ON)

Otros transistores... ME7114S , ME7170 , MEE7816S , MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF , MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , IRFB3607 , MSK50N03DF , MSK50P03NF , MSK60N03DF , MSK7804 , MSK80N03NF , NTMFD5875NLT1G , NTMFD5C466NLT1G , NTMFD5C466NT1G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.