MSK3419DF - аналоги и даташиты транзистора

 

MSK3419DF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MSK3419DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 194 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для MSK3419DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK3419DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:533K  1
 msk3419df.pdf pdf_icon

MSK3419DF

www.msksemi.comMSK3419DFSemiconductorCompianceDescriptionThe MSK3419DF uses advanced trench technologyD D D Dand design to provide excellent with lowRDS(ON)gate charge .Thisdevice is well suitedfor high current load applications.General FeaturesS S S GV =-30V,I =-30ADS DRDS(ON)

Другие MOSFET... ME7114S , ME7170 , MEE7816S , MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF , MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , AON7506 , MSK50N03DF , MSK50P03NF , MSK60N03DF , MSK7804 , MSK80N03NF , NTMFD5875NLT1G , NTMFD5C466NLT1G , NTMFD5C466NT1G .

History: IRF7341 | LNL04R075 | LNH4N80 | CHM3413SGP | 4N65KG-TF3T-T | LNH4N65 | LNH7N60D

 

 
Back to Top

 


 
.