MSK3419DF - описание и поиск аналогов

 

MSK3419DF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSK3419DF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 194 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

Аналог (замена) для MSK3419DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK3419DF даташит

 ..1. Size:533K  1
 msk3419df.pdf pdf_icon

MSK3419DF

www.msksemi.com MSK3419DF Semiconductor Compiance Description The MSK3419DF uses advanced trench technology D D D D and design to provide excellent with low RDS(ON) gate charge .Thisdevice is well suited for high current load applications. General Features S S S G V =-30V,I =-30A DS D RDS(ON)

Другие MOSFET... ME7114S , ME7170 , MEE7816S , MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF , MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , IRFB3607 , MSK50N03DF , MSK50P03NF , MSK60N03DF , MSK7804 , MSK80N03NF , NTMFD5875NLT1G , NTMFD5C466NLT1G , NTMFD5C466NT1G .

History: MSK50P03NF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.