Справочник MOSFET. MSK3419DF

 

MSK3419DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSK3419DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 194 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для MSK3419DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK3419DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:533K  1
 msk3419df.pdf pdf_icon

MSK3419DF

www.msksemi.comMSK3419DFSemiconductorCompianceDescriptionThe MSK3419DF uses advanced trench technologyD D D Dand design to provide excellent with lowRDS(ON)gate charge .Thisdevice is well suitedfor high current load applications.General FeaturesS S S GV =-30V,I =-30ADS DRDS(ON)

Другие MOSFET... ME7114S , ME7170 , MEE7816S , MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF , MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , AON7506 , MSK50N03DF , MSK50P03NF , MSK60N03DF , MSK7804 , MSK80N03NF , NTMFD5875NLT1G , NTMFD5C466NLT1G , NTMFD5C466NT1G .

History: FDPF12N35 | CTD06N030 | PDN2313S | PSMN9R0-30LL | PDC906Z | H5N2508DS | RJK0331DPB-01

 

 
Back to Top

 


 
.