MSK50N03DF Todos los transistores

 

MSK50N03DF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSK50N03DF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm

Encapsulados: DFN3X3-8L

 Búsqueda de reemplazo de MSK50N03DF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MSK50N03DF datasheet

 ..1. Size:548K  1
 msk50n03df.pdf pdf_icon

MSK50N03DF

www.msksemi.com MSK50N03DF Semiconductor Compiance Description D D D D The MSK50N03DF is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications. S S S G The MSK50N03DF meet the RoHS and Green DFN3X3-8L Product Summary BVDSS RDSON ID 30V 46A 9.5m Green Device Available Super Low Gate

 9.1. Size:527K  1
 msk50p03nf.pdf pdf_icon

MSK50N03DF

www.msksemi.com MSK50P03NF Semiconductor Compiance Description The MSK50P03NF uses advanced trench technology excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as aload switch or in PWM applications. General Features VDS = -30V,ID = -50A RDS(ON)

Otros transistores... ME7170 , MEE7816S , MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF , MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , MSK3419DF , AON6380 , MSK50P03NF , MSK60N03DF , MSK7804 , MSK80N03NF , NTMFD5875NLT1G , NTMFD5C466NLT1G , NTMFD5C466NT1G , NTMFD5C470NLT1G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.