Справочник MOSFET. MSK50N03DF

 

MSK50N03DF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MSK50N03DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 29 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L

 Аналог (замена) для MSK50N03DF

 

 

MSK50N03DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:548K  1
 msk50n03df.pdf

MSK50N03DF MSK50N03DF

www.msksemi.comMSK50N03DFSemiconductorCompianceDescriptionD D D DThe MSK50N03DF is the high cell densitytrenched N-ch MOSFETs, which provideexcellent RDSON and gate charge for most ofthe synchronous buck converter applications.S S S GThe MSK50N03DF meet the RoHS and GreenDFN3X3-8LProduct SummaryBVDSS RDSON ID30V 46A9.5mGreen Device AvailableSuper Low Gate

 9.1. Size:527K  1
 msk50p03nf.pdf

MSK50N03DF MSK50N03DF

www.msksemi.comMSK50P03NFSemiconductorCompianceDescriptionThe MSK50P03NF uses advanced trench technologyexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gatevoltages as low as 4.5V. This device is suitable foruse as aload switch or in PWM applications.General FeaturesVDS = -30V,ID = -50ARDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top