MSK60N03DF Todos los transistores

 

MSK60N03DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MSK60N03DF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 267 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L
 

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MSK60N03DF Datasheet (PDF)

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MSK60N03DF

www.msksemi.comMSK60N03DFSemiconductorCompianceDescriptionThe MSK60N03DF uses advanced trench technology D D D Dto provide excellent RDS(ON), low gate charge andoperation with gate voltages as low as 4.5V. Thisdevice is suitable for use as aS S S GBattery protection or in other Switching application.General Features DFN3X3-8LVDS = 30V ID =60 ARDS(ON)

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History: IPS60R360PFD7S | SI3911DV-T1 | MTH15N40

 

 
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