MSK60N03DF Todos los transistores

 

MSK60N03DF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MSK60N03DF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 267 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: DFN3X3-8L

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MSK60N03DF datasheet

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MSK60N03DF

www.msksemi.com MSK60N03DF Semiconductor Compiance Description The MSK60N03DF uses advanced trench technology D D D D to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a S S S G Battery protection or in other Switching application. General Features DFN3X3-8L VDS = 30V ID =60 A RDS(ON)

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