MSK60N03DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MSK60N03DF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 267 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3-8L
Аналог (замена) для MSK60N03DF
MSK60N03DF Datasheet (PDF)
msk60n03df.pdf

www.msksemi.comMSK60N03DFSemiconductorCompianceDescriptionThe MSK60N03DF uses advanced trench technology D D D Dto provide excellent RDS(ON), low gate charge andoperation with gate voltages as low as 4.5V. Thisdevice is suitable for use as aS S S GBattery protection or in other Switching application.General Features DFN3X3-8LVDS = 30V ID =60 ARDS(ON)
Другие MOSFET... MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF , MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , MSK3419DF , MSK50N03DF , MSK50P03NF , IRLB4132 , MSK7804 , MSK80N03NF , NTMFD5875NLT1G , NTMFD5C466NLT1G , NTMFD5C466NT1G , NTMFD5C470NLT1G , NTMFD5C650NLT1G , NTMFD5C674NLT1G .
History: SIF4N65F | IRLML2803GPBF | APT1003RKLL | SFS06R10PF | FCMT180N65S3 | ME4425 | ME2306BS-G
History: SIF4N65F | IRLML2803GPBF | APT1003RKLL | SFS06R10PF | FCMT180N65S3 | ME4425 | ME2306BS-G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout