MSK60N03DF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MSK60N03DF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 59 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 60 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 267 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3-8L
Аналог (замена) для MSK60N03DF
MSK60N03DF Datasheet (PDF)
..1. Size:625K 1
msk60n03df.pdf
msk60n03df.pdf
www.msksemi.comMSK60N03DFSemiconductorCompianceDescriptionThe MSK60N03DF uses advanced trench technology D D D Dto provide excellent RDS(ON), low gate charge andoperation with gate voltages as low as 4.5V. Thisdevice is suitable for use as aS S S GBattery protection or in other Switching application.General Features DFN3X3-8LVDS = 30V ID =60 ARDS(ON)
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
