MSK60N03DF - описание и поиск аналогов

 

MSK60N03DF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MSK60N03DF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 267 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

Аналог (замена) для MSK60N03DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK60N03DF даташит

 ..1. Size:625K  1
 msk60n03df.pdf pdf_icon

MSK60N03DF

www.msksemi.com MSK60N03DF Semiconductor Compiance Description The MSK60N03DF uses advanced trench technology D D D D to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a S S S G Battery protection or in other Switching application. General Features DFN3X3-8L VDS = 30V ID =60 A RDS(ON)

Другие MOSFET... MSJAC11N65Y-TP , MSK100N03DF , MSK20P80GNF , MSK30N03DF , MSK30P02DF , MSK3419DF , MSK50N03DF , MSK50P03NF , CS150N03A8 , MSK7804 , MSK80N03NF , NTMFD5875NLT1G , NTMFD5C466NLT1G , NTMFD5C466NT1G , NTMFD5C470NLT1G , NTMFD5C650NLT1G , NTMFD5C674NLT1G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.