Справочник MOSFET. MSK60N03DF

 

MSK60N03DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MSK60N03DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 267 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MSK60N03DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:625K  1
 msk60n03df.pdf pdf_icon

MSK60N03DF

www.msksemi.comMSK60N03DFSemiconductorCompianceDescriptionThe MSK60N03DF uses advanced trench technology D D D Dto provide excellent RDS(ON), low gate charge andoperation with gate voltages as low as 4.5V. Thisdevice is suitable for use as aS S S GBattery protection or in other Switching application.General Features DFN3X3-8LVDS = 30V ID =60 ARDS(ON)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.