FDP090N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDP090N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDP090N10

FDP090N10 Datasheet (PDF)

..1. Size:593K fairchild semi
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..2. Size:252K inchange semiconductor
fdp090n10.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor FDP090N10FEATURESDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9m(Max)DS(on)High power and current handling capability100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitch-Mode and Resonant-Mode Power SuppliesDC-DC Con

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: