FDP090N10 - описание и поиск аналогов

 

FDP090N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDP090N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FDP090N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP090N10 даташит

 ..1. Size:593K  fairchild semi
 fdp090n10.pdf pdf_icon

FDP090N10

January 2008 FDP090N10 tm N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 75A, 9m Features General Description RDS(on) = 7.2m ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is producedusing Fairchild Semicon- ductor s advanced PowerTrench process that has been espe- Fast switching speed cially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switchin

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 fdp090n10.pdf pdf_icon

FDP090N10

isc N-Channel MOSFET Transistor FDP090N10 FEATURES Drain Source Voltage- V = 100V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 9m (Max) DS(on) High power and current handling capability 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies DC-DC Con

Другие MOSFET... FDP050AN06A0 , FDP054N10 , STM4633 , FDP060AN08A0 , FDP075N15AF102 , FDP083N15AF102 , FDP085N10AF102 , STM4615 , 60N06 , STM4605 , FDP100N10 , STM4550 , FDP10N60NZ , STM4532 , FDP120N10 , STM4470E , FDP12N50 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.