Справочник MOSFET. FDP090N10

 

FDP090N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDP090N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 89 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FDP090N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP090N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:593K  fairchild semi
 fdp090n10.pdf pdf_icon

FDP090N10

January 2008FDP090N10tmN-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 75A, 9mFeatures General Description RDS(on) = 7.2m ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is producedusing Fairchild Semicon-ductors advanced PowerTrench process that has been espe- Fast switching speed cially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switchin

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 fdp090n10.pdf pdf_icon

FDP090N10

isc N-Channel MOSFET Transistor FDP090N10FEATURESDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9m(Max)DS(on)High power and current handling capability100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitch-Mode and Resonant-Mode Power SuppliesDC-DC Con

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.