FDP090N10 - аналоги и даташиты транзистора

 

FDP090N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FDP090N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FDP090N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP090N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:593K  fairchild semi
 fdp090n10.pdf pdf_icon

FDP090N10

January 2008FDP090N10tmN-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 75A, 9mFeatures General Description RDS(on) = 7.2m ( Typ.) @ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is producedusing Fairchild Semicon-ductors advanced PowerTrench process that has been espe- Fast switching speed cially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switchin

 ..2. Size:252K  inchange semiconductor
 fdp090n10.pdf pdf_icon

FDP090N10

isc N-Channel MOSFET Transistor FDP090N10FEATURESDrain Source Voltage-: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 9m(Max)DS(on)High power and current handling capability100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitch-Mode and Resonant-Mode Power SuppliesDC-DC Con

Другие MOSFET... FDP050AN06A0 , FDP054N10 , STM4633 , FDP060AN08A0 , FDP075N15AF102 , FDP083N15AF102 , FDP085N10AF102 , STM4615 , IRFB7545 , STM4605 , FDP100N10 , STM4550 , FDP10N60NZ , STM4532 , FDP120N10 , STM4470E , FDP12N50 .

History: CS4N80A4HD-G | TPH1500CNH | WSK200N08A | 2SK1006-01MR | SM1A40CSQ | JANSR2N7400 | FS2KM-14A

 

 
Back to Top

 


 
.