NTMFS5C406NT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTMFS5C406NT1G
   Código: 5C406N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 179 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 353 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 110 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 116 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4530 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0008 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTMFS5C406NT1G

NTMFS5C406NT1G Datasheet (PDF)

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ntmfs5c406nt1g.pdf

NTMFS5C406NPower MOSFET40 V, 0.8 mW, 353 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)40 V 0.8 mW @ 10 V

3.1. Size:159K 1
ntmfs5c406nlt1g.pdf

NTMFS5C406NLMOSFET Power, Single,N-Channel40 V, 0.7 mW, 362 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant0.7 mW @ 10 V40 V 362 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless oth

3.2. Size:121K onsemi
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