NTMFS5C406NT1G - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

NTMFS5C406NT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: NTMFS5C406NT1G
   Маркировка: 5C406N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 179 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 353 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 110 nC
   Время нарастания (tr): 116 ns
   Выходная емкость (Cd): 4530 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0008 Ohm
   Тип корпуса: DFN5

Аналог (замена) для NTMFS5C406NT1G

NTMFS5C406NT1G Datasheet (PDF)

..1. Size:121K 1
ntmfs5c406nt1g.pdf

NTMFS5C406NPower MOSFET40 V, 0.8 mW, 353 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAXMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)40 V 0.8 mW @ 10 V

3.1. Size:159K 1
ntmfs5c406nlt1g.pdf

NTMFS5C406NLMOSFET Power, Single,N-Channel40 V, 0.7 mW, 362 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant0.7 mW @ 10 V40 V 362 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless oth

3.2. Size:121K onsemi
ntmfs5c406n.pdf