NTMFS6H818NLT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NTMFS6H818NLT1G
Código: 6H818L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 135 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 VQgⓘ - Carga de la puerta: 64 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 106 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 484 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN5
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTMFS6H818NLT1G
NTMFS6H818NLT1G Datasheet (PDF)
ntmfs6h818nlt1g.pdf
MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 3.2 mW, 135 ANTMFS6H818NLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX3.2 mW @ 10 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)
ntmfs6h818nl.pdf
MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 3.2 mW, 135 ANTMFS6H818NLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX3.2 mW @ 10 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)
ntmfs6h818n.pdf
NTMFS6H818NMOSFET Power, Single,N-Channel80 V, 3.7 mW, 123 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant80 V 3.7 mW @ 10 V 123 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless other
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Liste
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