NTMFS6H818NLT1G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NTMFS6H818NLT1G
   Código: 6H818L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 140 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 135 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Carga de la puerta (Qg): 64 nC
   Tiempo de subida (tr): 106 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 484 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0032 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NTMFS6H818NLT1G

NTMFS6H818NLT1G Datasheet (PDF)

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MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 3.2 mW, 135 ANTMFS6H818NLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX3.2 mW @ 10 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)

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ntmfs6h818nl.pdf

3.1. Size:177K onsemi
ntmfs6h818n.pdf

NTMFS6H818NMOSFET Power, Single,N-Channel80 V, 3.7 mW, 123 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant80 V 3.7 mW @ 10 V 123 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless other

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