Справочник MOSFET. NTMFS6H818NLT1G

 

NTMFS6H818NLT1G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NTMFS6H818NLT1G
   Маркировка: 6H818L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 135 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 64 nC
   Время нарастания (tr): 106 ns
   Выходная емкость (Cd): 484 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0032 Ohm
   Тип корпуса: DFN5

 Аналог (замена) для NTMFS6H818NLT1G

 

 

NTMFS6H818NLT1G Datasheet (PDF)

 0.1. Size:176K  1
ntmfs6h818nlt1g.pdf

NTMFS6H818NLT1G
NTMFS6H818NLT1G

MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 3.2 mW, 135 ANTMFS6H818NLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX3.2 mW @ 10 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)

 2.1. Size:176K  onsemi
ntmfs6h818nl.pdf

NTMFS6H818NLT1G
NTMFS6H818NLT1G

MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 3.2 mW, 135 ANTMFS6H818NLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS CompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX3.2 mW @ 10 VMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)

 3.1. Size:177K  onsemi
ntmfs6h818n.pdf

NTMFS6H818NLT1G
NTMFS6H818NLT1G

NTMFS6H818NMOSFET Power, Single,N-Channel80 V, 3.7 mW, 123 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant80 V 3.7 mW @ 10 V 123 AMAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless other

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTMYS4D1N06CL

 

 
Back to Top