NTMFS6H818NLT1G - описание и поиск аналогов

 

NTMFS6H818NLT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NTMFS6H818NLT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 135 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 106 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 484 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0032 Ohm

Тип корпуса: DFN5

Аналог (замена) для NTMFS6H818NLT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS6H818NLT1G даташит

 0.1. Size:176K  1
ntmfs6h818nlt1g.pdfpdf_icon

NTMFS6H818NLT1G

MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 3.2 mW, 135 A NTMFS6H818NL Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 3.2 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted)

 2.1. Size:176K  onsemi
ntmfs6h818nl.pdfpdf_icon

NTMFS6H818NLT1G

MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 3.2 mW, 135 A NTMFS6H818NL Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 3.2 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted)

 3.1. Size:177K  onsemi
ntmfs6h818n.pdfpdf_icon

NTMFS6H818NLT1G

NTMFS6H818N MOSFET Power, Single, N-Channel 80 V, 3.7 mW, 123 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 80 V 3.7 mW @ 10 V 123 A MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless other

Другие MOSFET... NTMFS5C670NT1G , NTMFS5C673NLT1G , NTMFS5C673NT1G , NTMFS5H425NLT1G , NTMFS6B05NT1G , NTMFS6B05NT3G , NTMFS6B14NT3G , NTMFS6H801NT1G , IRF640 , NTMFS6H836NLT1G , NTMFS6H848NLT1G , NTMFS6H852NLT1G , NTTFS4C05NTAG , NTTFS4C10NTAG , NTTFS4C25NTAG , NTTFS5C454NLTAG , NVMFD024N06CT1G .

History: NTMFS6H848NLT1G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.