PE5E4BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PE5E4BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 18 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 31 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.3 V
   Carga de la puerta (Qg): 12 nC
   Tiempo de subida (tr): 16 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 160 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PE5E4BA

PE5E4BA Datasheet (PDF)

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pe5e4ba.pdf

N-Channel Enhancement Mode PE5E4BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3PHalogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 9.5m 31A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D D D DApplic

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Liste

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