PE5E4BA Todos los transistores

 

PE5E4BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PE5E4BA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 18 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 31 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.3 V

Carga de la puerta (Qg): 12 nC

Tiempo de subida (tr): 16 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 160 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0095 Ohm

Paquete / Cubierta: PDFN3X3P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PE5E4BA

 

PE5E4BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:230K  1
pe5e4ba.pdf

PE5E4BA PE5E4BA

N-Channel Enhancement Mode PE5E4BANIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3PHalogen-Free & Lead-FreePRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D30V 9.5m 31A GFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D D D DApplic

Otros transistores... CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , MMIS60R580P , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A .

 

 
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