PE5E4BA - описание и поиск аналогов

 

PE5E4BA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PE5E4BA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3P

Аналог (замена) для PE5E4BA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PE5E4BA даташит

 ..1. Size:230K  1
 pe5e4ba.pdf pdf_icon

PE5E4BA

N-Channel Enhancement Mode PE5E4BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 30V 9.5m 31A G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D D D D Applic

 ..2. Size:703K  niko-sem
 pe5e4ba.pdf pdf_icon

PE5E4BA

N-Channel Enhancement Mode PE5E4BA NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 3x3P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 30V 9m 32A G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. D D D D Appli

Другие MOSFET... NTMFS6H852NLT1G , NTTFS4C05NTAG , NTTFS4C10NTAG , NTTFS4C25NTAG , NTTFS5C454NLTAG , NVMFD024N06CT1G , NVMFD5483NLT1G , NVMFD5485NLT1G , IRFB4115 , PK6A4BA , PKC26BB , SCDP120R040NP4B , STS65R190FS2 , STS65R190L8AS2TR , STS65R190SS2 , STS65R190SS2TR , STS65R190TS2 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.