SCDP120R040NP4B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SCDP120R040NP4B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 66 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0535 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247-4L
Búsqueda de reemplazo de SCDP120R040NP4B MOSFET
SCDP120R040NP4B Datasheet (PDF)
scdp120r040np4b.pdf
SCDP120R040NP4B 40m1200V MOS 1SCDP120R040NP4B N MOSFET 1. Drain 2. Power Source 3. Driver Source 4 4. Gate
Otros transistores... NTTFS4C25NTAG , NTTFS5C454NLTAG , NVMFD024N06CT1G , NVMFD5483NLT1G , NVMFD5485NLT1G , PE5E4BA , PK6A4BA , PKC26BB , 2SK3878 , STS65R190FS2 , STS65R190L8AS2TR , STS65R190SS2 , STS65R190SS2TR , STS65R190TS2 , STS65R280DS2TR , STS65R280FS2 , STS65R580DS2TR .
History: IRF8788PBF | SL120N03R | WMM18N50C4
History: IRF8788PBF | SL120N03R | WMM18N50C4
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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