SCDP120R040NP4B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SCDP120R040NP4B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0535 Ohm
Тип корпуса: TO247-4L
Аналог (замена) для SCDP120R040NP4B
SCDP120R040NP4B Datasheet (PDF)
0.1. Size:699K silan
scdp120r040np4b.pdf
scdp120r040np4b.pdf
SCDP120R040NP4B 40m1200V MOS 1SCDP120R040NP4B N MOSFET 1. Drain 2. Power Source 3. Driver Source 4 4. Gate
Другие MOSFET... NTTFS4C25NTAG , NTTFS5C454NLTAG , NVMFD024N06CT1G , NVMFD5483NLT1G , NVMFD5485NLT1G , PE5E4BA , PK6A4BA , PKC26BB , 2SK3878 , STS65R190FS2 , STS65R190L8AS2TR , STS65R190SS2 , STS65R190SS2TR , STS65R190TS2 , STS65R280DS2TR , STS65R280FS2 , STS65R580DS2TR .
History: AP15TP1R0M | RU30120L | AOD2N60A | APT10M09B2VR | IPI14N03LA | 8N60H | SI7415DN
History: AP15TP1R0M | RU30120L | AOD2N60A | APT10M09B2VR | IPI14N03LA | 8N60H | SI7415DN
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313