SCDP120R040NP4B - описание и поиск аналогов

 

SCDP120R040NP4B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SCDP120R040NP4B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0535 Ohm

Тип корпуса: TO247-4L

Аналог (замена) для SCDP120R040NP4B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SCDP120R040NP4B даташит

 0.1. Size:699K  silan
scdp120r040np4b.pdfpdf_icon

SCDP120R040NP4B

SCDP120R040NP4B 40m 1200V MOS 1 SCDP120R040NP4B N MOSFET 1. Drain 2. Power Source 3. Driver Source 4 4. Gate

Другие MOSFET... NTTFS4C25NTAG , NTTFS5C454NLTAG , NVMFD024N06CT1G , NVMFD5483NLT1G , NVMFD5485NLT1G , PE5E4BA , PK6A4BA , PKC26BB , 8205A , STS65R190FS2 , STS65R190L8AS2TR , STS65R190SS2 , STS65R190SS2TR , STS65R190TS2 , STS65R280DS2TR , STS65R280FS2 , STS65R580DS2TR .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.