SCDP120R040NP4B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SCDP120R040NP4B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 66 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 102 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0535 Ohm
Тип корпуса: TO247-4L
Аналог (замена) для SCDP120R040NP4B
SCDP120R040NP4B Datasheet (PDF)
0.1. Size:699K silan
scdp120r040np4b.pdf
scdp120r040np4b.pdf
SCDP120R040NP4B 40m1200V MOS 1SCDP120R040NP4B N MOSFET 1. Drain 2. Power Source 3. Driver Source 4 4. Gate
Другие MOSFET... NTTFS4C25NTAG , NTTFS5C454NLTAG , NVMFD024N06CT1G , NVMFD5483NLT1G , NVMFD5485NLT1G , PE5E4BA , PK6A4BA , PKC26BB , IRF630 , STS65R190FS2 , STS65R190L8AS2TR , STS65R190SS2 , STS65R190SS2TR , STS65R190TS2 , STS65R280DS2TR , STS65R280FS2 , STS65R580DS2TR .
History: WMR05N10TS | S80N18RP
History: WMR05N10TS | S80N18RP
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313