STS65R280DS2TR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STS65R280DS2TR  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TO252

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STS65R280DS2TR datasheet

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STS65R280DS2TR

STS65R280D(F)S2 14A 650V MOS 2 STS65R280D(F)S2 N MOSFET MOS 1 STS65R280D(F)S2 / 3

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STS65R280DS2TR

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STS65R280DS2TR

STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 8A, 650V MOS 2 STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 N MOSFET MOS 1 1 3 STS65R580D(F)(S)(MJ)S2

Otros transistores... PK6A4BA, PKC26BB, SCDP120R040NP4B, STS65R190FS2, STS65R190L8AS2TR, STS65R190SS2, STS65R190SS2TR, STS65R190TS2, STP75NF75, STS65R280FS2, STS65R580DS2TR, STS65R580FS2, STS65R580MJS2, STS65R580SS2, STS65R580SS2TR, SVD1055SA, SVD3205STR