STS65R280DS2TR Todos los transistores

 

STS65R280DS2TR MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS65R280DS2TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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STS65R280DS2TR PDF Specs

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STS65R280DS2TR

STS65R280D(F)S2 14A 650V MOS 2 STS65R280D(F)S2 N MOSFET MOS 1 STS65R280D(F)S2 / 3... See More ⇒

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STS65R280DS2TR

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STS65R280DS2TR

STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 8A, 650V MOS 2 STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 N MOSFET MOS 1 1 3 STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 ... See More ⇒

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History: APT66M60B2

 

 
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