STS65R280DS2TR Todos los transistores

 

STS65R280DS2TR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STS65R280DS2TR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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STS65R280DS2TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:571K  silan
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STS65R280DS2TR

STS65R280D(F)S2 14A650V MOS 2STS65R280D(F)S2 N MOSFET MOS 1 STS65R280D(F)S2 /3

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STS65R280DS2TR

STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 20A650V MOS 2STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 N MOSFET MOS 1 STS65R190F(L8A)(T)(S)S2

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STS65R280DS2TR

STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 8A, 650V MOS 2STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 N MOSFET MOS 1 13STS65R580D(F)(S)(MJ)S2

Otros transistores... PK6A4BA , PKC26BB , SCDP120R040NP4B , STS65R190FS2 , STS65R190L8AS2TR , STS65R190SS2 , STS65R190SS2TR , STS65R190TS2 , IRFP260 , STS65R280FS2 , STS65R580DS2TR , STS65R580FS2 , STS65R580MJS2 , STS65R580SS2 , STS65R580SS2TR , SVD1055SA , SVD3205STR .

History: KU2310Q | PV551BA | SISS40DN | PM2301 | SFG180N10PF | IRFR7746 | RE1J002YN

 

 
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