Справочник MOSFET. STS65R280DS2TR

 

STS65R280DS2TR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STS65R280DS2TR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 37 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для STS65R280DS2TR

 

 

STS65R280DS2TR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:571K  silan
sts65r280ds2tr sts65r280fs2.pdf

STS65R280DS2TR
STS65R280DS2TR

STS65R280D(F)S2 14A650V MOS 2STS65R280D(F)S2 N MOSFET MOS 1 STS65R280D(F)S2 /3

 8.1. Size:553K  silan
sts65r190fs2 sts65r190l8as2tr sts65r190ts2 sts65r190ss2 sts65r190ss2tr.pdf

STS65R280DS2TR
STS65R280DS2TR

STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 20A650V MOS 2STS65R190F(L8A)(T)(S)S2 N MOSFET MOS 1 STS65R190F(L8A)(T)(S)S2

 8.2. Size:495K  silan
sts65r580ds2tr sts65r580fs2 sts65r580ss2 sts65r580ss2tr sts65r580mjs2.pdf

STS65R280DS2TR
STS65R280DS2TR

STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 8A, 650V MOS 2STS65R580D(F)(S)(MJ)S2 N MOSFET MOS 1 13STS65R580D(F)(S)(MJ)S2

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top