SVD640S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVD640S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de SVD640S MOSFET
SVD640S Datasheet (PDF)
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SVD640T/D/S 18A200V N 2SVD640T/D/S N MOS S-RinTM VDMOS .13. 1. 2. 3.
svd640t svd640d svd640f.pdf

SVD640T/D/F 18A200V N SVD640T/D/F N MOS S-RinTM VDMOS AC-DC
Otros transistores... STS65R580MJS2 , STS65R580SS2 , STS65R580SS2TR , SVD1055SA , SVD3205STR , SVD540DTR , SVD540F , SVD640DTR , IRFB3607 , SVD640STR , SVDP2353PL3A , SVDZ24NDTR , SVF10N60CAFJ , SVF10N60CFJ , SVF10N60STR , SVF10N65CA , SVF10N65CF .
History: CS6N80ARR-G | NTMFS6B14N | 2N65KL-TF2-T | 2N65KG-TF2-T | FS50KMJ-3 | 2N65KG-TMS2-T
History: CS6N80ARR-G | NTMFS6B14N | 2N65KL-TF2-T | 2N65KG-TF2-T | FS50KMJ-3 | 2N65KG-TMS2-T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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