SVD640S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVD640S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 41 nC
Время нарастания (tr): 47 ns
Выходная емкость (Cd): 160 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
Тип корпуса: TO263
SVD640S Datasheet (PDF)
..1. Size:442K silan
svd640t svd640d svd640dtr svd640s svd640str.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svd640t svd640d svd640dtr svd640s svd640str.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVD640T/D/S 18A200V N 2SVD640T/D/S N MOS S-RinTM VDMOS .13. 1. 2. 3.
8.1. Size:539K silan
svd640t svd640d svd640f.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svd640t svd640d svd640f.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVD640T/D/F 18A200V N SVD640T/D/F N MOS S-RinTM VDMOS AC-DC
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .