SVF12N60STR Todos los transistores

 

SVF12N60STR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF12N60STR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 152 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SVF12N60STR Datasheet (PDF)

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SVF12N60STR

SVF12N60F/S/K 12A600V N 2SVF12N60F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3

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SVF12N60STR

SVF12N60T/F/S/K 12A600V N SVF12N60T/F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

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SVF12N60STR

SVF12N60CF 12A600V N 2SVF12N60CF N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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SVF12N60STR

SVF12N60CFJ 12A600V N 2SVF12N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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History: RAL045P01 | PQ6V2JN | OSG90R250FF | HSCC8211 | KTK919S | HMS85N03ED | IRFR9024TR

 

 
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