SVF12N60STR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF12N60STR
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 152 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
SVF12N60STR Datasheet (PDF)
svf12n60f svf12n60s svf12n60str svf12n60k.pdf

SVF12N60F/S/K 12A600V N 2SVF12N60F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3
svf12n60t svf12n60f svf12n60s svf12n60k.pdf

SVF12N60T/F/S/K 12A600V N SVF12N60T/F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
Otros transistores... SVF10N65CF , SVF10N65CFJH , SVF10N65CK , SVF10N65K , SVF10N65S , SVF10N65STR , SVF12N60CF , SVF12N60CFJ , 18N50 , SVF12N65K , SVF12N65S , SVF12N65STR , SVF13N50AF , SVF13N50CFJ , SVF13N50S , SVF13N50STR , SVF14N25CD .
History: TN0200K-T1 | 50N06L-TN3-R
History: TN0200K-T1 | 50N06L-TN3-R



Liste
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