SVF12N60STR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF12N60STR  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 152 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: TO263

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SVF12N60STR datasheet

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SVF12N60STR

SVF12N60F/S/K 12A 600V N 2 SVF12N60F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2. 3

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SVF12N60STR

SVF12N60T/F/S/K 12A 600V N SVF12N60T/F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

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SVF12N60STR

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SVF12N60STR

SVF12N60CFJ 12A 600V N 2 SVF12N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

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