Справочник MOSFET. SVF12N60STR

 

SVF12N60STR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF12N60STR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для SVF12N60STR

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF12N60STR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:366K  silan
 svf12n60f svf12n60s svf12n60str svf12n60k.pdf pdf_icon

SVF12N60STR

SVF12N60F/S/K 12A600V N 2SVF12N60F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3

 5.1. Size:459K  silan
 svf12n60t svf12n60f svf12n60s svf12n60k.pdf pdf_icon

SVF12N60STR

SVF12N60T/F/S/K 12A600V N SVF12N60T/F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

 6.1. Size:325K  silan
 svf12n60cf.pdf pdf_icon

SVF12N60STR

SVF12N60CF 12A600V N 2SVF12N60CF N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 6.2. Size:329K  silan
 svf12n60cfj.pdf pdf_icon

SVF12N60STR

SVF12N60CFJ 12A600V N 2SVF12N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF10N65CF , SVF10N65CFJH , SVF10N65CK , SVF10N65K , SVF10N65S , SVF10N65STR , SVF12N60CF , SVF12N60CFJ , 18N50 , SVF12N65K , SVF12N65S , SVF12N65STR , SVF13N50AF , SVF13N50CFJ , SVF13N50S , SVF13N50STR , SVF14N25CD .

History: BSC014N04LSI | S85N042RP | CEM2539A | FDS8874

 

 
Back to Top

 


 
.