SVF12N60STR datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVF12N60STR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVF12N60STR 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 152 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm

Тип корпуса: TO263

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVF12N60STR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SVF12N60F/S/K 12A 600V N 2 SVF12N60F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2. 3

5.1. Size:459K silan
svf12n60t svf12n60f svf12n60s svf12n60k.pdf pdf_icon

SVF12N60T/F/S/K 12A 600V N SVF12N60T/F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC

6.1. Size:325K silan
svf12n60cf.pdf pdf_icon

6.2. Size:329K silan
svf12n60cfj.pdf pdf_icon

SVF12N60CFJ 12A 600V N 2 SVF12N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3