SVF12N60STR MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF12N60STR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 34 nC
Время нарастания (tr): 52 ns
Выходная емкость (Cd): 152 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SVF12N60STR
SVF12N60STR Datasheet (PDF)
..1. Size:366K silan
svf12n60f svf12n60s svf12n60str svf12n60k.pdf
svf12n60f svf12n60s svf12n60str svf12n60k.pdf
SVF12N60F/S/K 12A600V N 2SVF12N60F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2. 3
5.1. Size:459K silan
svf12n60t svf12n60f svf12n60s svf12n60k.pdf
svf12n60t svf12n60f svf12n60s svf12n60k.pdf
SVF12N60T/F/S/K 12A600V N SVF12N60T/F/S/K N MOS F-CellTM VDMOS AC-DC
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .