SVF31N30CS Todos los transistores

 

SVF31N30CS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF31N30CS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 284 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 77 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 346 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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SVF31N30CS Datasheet (PDF)

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SVF31N30CS

SVF31N30CS 31A, 300V N 2SVF31N30CS N MOS F-CellTM VDMOS 13

Otros transistores... SVF14N25CD , SVF18N65EFJH , SVF18NE50PN , SVF20N50F , SVF20N50PN , SVF20NE50PN , SVF25NE50PN , SVF2N60RDTR , IRF830 , SVF31N30CSTR , SVF3878AP7 , SVF3878P7 , SVF3N65VFJ , SVF4N150F , SVF4N150P7 , SVF4N150PF , SVF4N60CADTR .

History: US6M2 | P5015BD | 2SK655 | VBI1695 | PM516BZ | HGP130N12SL | NCEP40P65QU

 

 
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