SVF31N30CS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF31N30CS
Código: 31N30C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 284 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 300 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 31 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 53 nC
Tiempo de subida (tr): 77 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 346 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
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SVF31N30CS Datasheet (PDF)
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SVF31N30CS 31A, 300V N 2SVF31N30CS N MOS F-CellTM VDMOS 13
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