SVF31N30CS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF31N30CS
Маркировка: 31N30C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 284 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 31 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 53 nC
Время нарастания (tr): 77 ns
Выходная емкость (Cd): 346 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.11 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для SVF31N30CS
SVF31N30CS Datasheet (PDF)
..1. Size:473K silan
svf31n30cs svf31n30cstr.pdf
svf31n30cs svf31n30cstr.pdf
SVF31N30CS 31A, 300V N 2SVF31N30CS N MOS F-CellTM VDMOS 13
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .