SVF4N60CAFJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SVF4N60CAFJ
   Código: 4N60CAFJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 33 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 13 nC
   Tiempo de subida (tr): 26 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 55 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF4N60CAFJ

SVF4N60CAFJ Datasheet (PDF)

..1. Size:323K silan
svf4n60cafj.pdf

SVF4N60CAFJ 4A600V N 2SVF4N60CAFJ N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2.

4.1. Size:801K 1
svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cad svf4n60cat svf4n60camn svf4n60camj.pdf

SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ_Datasheet 4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switc

4.2. Size:473K silan
svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cat svf4n60cadtr svf4n60camn svf4n60camj.pdf