SVF4N60CAFJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF4N60CAFJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm

Encapsulados: TO220F

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SVF4N60CAFJ MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SVF4N60CAFJ datasheet

 ..1. Size:323K  silan
 svf4n60cafj.pdf pdf_icon

SVF4N60CAFJ

SVF4N60CAFJ 4A 600V N 2 SVF4N60CAFJ N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2.

 4.1. Size:801K  1
 svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cad svf4n60cat svf4n60camn svf4n60camj.pdf pdf_icon

SVF4N60CAFJ

SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ_Datasheet 4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switc

 4.2. Size:473K  silan
 svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cat svf4n60cadtr svf4n60camn svf4n60camj.pdf pdf_icon

SVF4N60CAFJ

 4.3. Size:900K  silan
 svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cad svf4n60cat svf4n60camn svf4n60camj.pdf pdf_icon

SVF4N60CAFJ

SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ 4A 600V N SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ N MOS F-CellTM VDMOS

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SVF31N30CSTR, SVF3878AP7, SVF3878P7, SVF3N65VFJ, SVF4N150F, SVF4N150P7, SVF4N150PF, SVF4N60CADTR, IRFZ48N, SVF4N60DTR, SVF4N65CADTR, SVF4N65CAFJH, SVF4N65CF, SVF4N65CMJ, SVF4N65DTR, SVF4N65MJ, SVF4N65RDTR