SVF4N60CAFJ Todos los transistores

 

SVF4N60CAFJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVF4N60CAFJ
   Código: 4N60CAFJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 55 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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SVF4N60CAFJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:323K  silan
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SVF4N60CAFJ

SVF4N60CAFJ 4A600V N 2SVF4N60CAFJ N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2.

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SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ_Datasheet 4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switc

 4.2. Size:473K  silan
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SVF4N60CAFJ

SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ 4A600V N 2 SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ N MOS 13 F-CellTM VDMOS 1TO-252-2L3

 4.3. Size:900K  silan
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SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ 4A600V N SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ N MOS F-CellTM VDMOS

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