SVF4N60CAFJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVF4N60CAFJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVF4N60CAFJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF4N60CAFJ даташит

 ..1. Size:323K  silan
 svf4n60cafj.pdf pdf_icon

SVF4N60CAFJ

SVF4N60CAFJ 4A 600V N 2 SVF4N60CAFJ N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2.

 4.1. Size:801K  1
 svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cad svf4n60cat svf4n60camn svf4n60camj.pdf pdf_icon

SVF4N60CAFJ

SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ_Datasheet 4A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switc

 4.2. Size:473K  silan
 svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cat svf4n60cadtr svf4n60camn svf4n60camj.pdf pdf_icon

SVF4N60CAFJ

 4.3. Size:900K  silan
 svf4n60caf svf4n60cak svf4n60cad svf4n60cat svf4n60camn svf4n60camj.pdf pdf_icon

SVF4N60CAFJ

SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ 4A 600V N SVF4N60CAF/K/D/T/MN/MJ N MOS F-CellTM VDMOS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVF31N30CSTR, SVF3878AP7, SVF3878P7, SVF3N65VFJ, SVF4N150F, SVF4N150P7, SVF4N150PF, SVF4N60CADTR, IRFZ48N, SVF4N60DTR, SVF4N65CADTR, SVF4N65CAFJH, SVF4N65CF, SVF4N65CMJ, SVF4N65DTR, SVF4N65MJ, SVF4N65RDTR