SVF4N65CMJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVF4N65CMJ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF4N65CMJ
SVF4N65CMJ Datasheet (PDF)
svf4n65cf svf4n65cmj.pdf
SVF4N65CF/MJ 4A650V N 2SVF4N65CF/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj.pdf
SVF4N65CAF/D/M/MJ 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ N MOS F-CellTM VDMOS 13
svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf
SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2. 3
svf4n65caf svf4n65cadtr svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf
SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A650V N 2SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS F-CellTM VDMOS 1 31.
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: AUIRFIZ34N
History: AUIRFIZ34N
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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