SVF4N65CMJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVF4N65CMJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.6 Ohm

Тип корпуса: TO251

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVF4N65CMJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF4N65CMJ даташит

 ..1. Size:401K  silan
 svf4n65cf svf4n65cmj.pdf pdf_icon

SVF4N65CMJ

 6.1. Size:314K  silan
 svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj.pdf pdf_icon

SVF4N65CMJ

 6.2. Size:752K  silan
 svf4n65caf svf4n65cad svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf pdf_icon

SVF4N65CMJ

SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A 650V N 2 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1. 2. 3

 6.3. Size:466K  silan
 svf4n65caf svf4n65cadtr svf4n65cam svf4n65camj svf4n65camn svf4n65cak.pdf pdf_icon

SVF4N65CMJ

SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K 4A 650V N 2 SVF4N65CAF/D/M/MJ/MN/K N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVF4N150P7, SVF4N150PF, SVF4N60CADTR, SVF4N60CAFJ, SVF4N60DTR, SVF4N65CADTR, SVF4N65CAFJH, SVF4N65CF, IRFB7545, SVF4N65DTR, SVF4N65MJ, SVF4N65RDTR, SVF4N70DTR, SVF4N70F, SVF4N70MJ, SVF5N60DTR, SVF5N65DTR