SVF6N25CD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF6N25CD 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: TO252

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Búsqueda de reemplazo de SVF6N25CD MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SVF6N25CD datasheet

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SVF6N60F/D/FQ 6A 600V N 2 SVF6N60F/D/FQ N MOS F-CellTM VDMOS 1 1 3 TO-252-2L 3

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