SVF6N25CD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SVF6N25CD
   Código: 6N25CD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVF6N25CD

SVF6N25CD Datasheet (PDF)

..1. Size:488K silan
svf6n25cd.pdf

SVF6N25CD 6A, 250V N 2SVF6N25CD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

9.1. Size:452K silan
svf6n60f svf6n60dtr svf6n60fq.pdf

SVF6N60F/D/FQ 6A600V N 2SVF6N60F/D/FQ N MOS F-CellTM VDMOS 11 3 TO-252-2L3

9.2. Size:344K silan
svf6n80dtr svf6n80k svf6n80mj.pdf

SVF6N80D(K) 6A800V N 2SVF6N80D(K)(MJ) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

9.3. Size:316K silan
svf6n70f.pdf

SVF6N70F 6A700V N 2SVF6N70F N MOS F-CellTM VDMOS 13

9.4. Size:547K silan
svf6n60mj svf6n60f svf6n60d.pdf

SVF6N60MJ/F/D_Datasheet 6A 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF6N60MJ/F/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior swit

9.5. Size:444K silan
svf6n70mjg svf6n70dtr svf6n70k svf6n70mn.pdf