SVF6N25CD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SVF6N25CD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для SVF6N25CD
SVF6N25CD Datasheet (PDF)
svf6n60f svf6n60dtr svf6n60fq.pdf

SVF6N60F/D/FQ 6A600V N 2SVF6N60F/D/FQ N MOS F-CellTM VDMOS 11 3 TO-252-2L3
svf6n80dtr svf6n80k svf6n80mj.pdf

SVF6N80D(K) 6A800V N 2SVF6N80D(K)(MJ) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
Другие MOSFET... SVF4N65DTR , SVF4N65MJ , SVF4N65RDTR , SVF4N70DTR , SVF4N70F , SVF4N70MJ , SVF5N60DTR , SVF5N65DTR , 5N50 , SVF6N60DTR , SVF6N60FQ , SVF6N70DTR , SVF6N70K , SVF6N70MJG , SVF6N70MN , SVF6N80DTR , SVF6N80K .
History: IXTY90N055T2 | JCS12N65CT | SGSP363 | BLP012N08-T | IPS80R1K4P7 | 2SK1446 | NP160N055TUJ
History: IXTY90N055T2 | JCS12N65CT | SGSP363 | BLP012N08-T | IPS80R1K4P7 | 2SK1446 | NP160N055TUJ



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1845 transistor | a933 transistor datasheet | a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427