SVF6N25CD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVF6N25CD
Маркировка: 6N25CD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.6 nC
trⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO252
SVF6N25CD Datasheet (PDF)
svf6n60f svf6n60dtr svf6n60fq.pdf
SVF6N60F/D/FQ 6A600V N 2SVF6N60F/D/FQ N MOS F-CellTM VDMOS 11 3 TO-252-2L3
svf6n80dtr svf6n80k svf6n80mj.pdf
SVF6N80D(K) 6A800V N 2SVF6N80D(K)(MJ) N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svf6n60mj svf6n60f svf6n60d.pdf
SVF6N60MJ/F/D_Datasheet 6A 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF6N60MJ/F/D is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS technology. Theimproved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior swit
svf6n70mjg svf6n70dtr svf6n70k svf6n70mn.pdf
SVF6N70MJG/D/K/N 6A700V N 2SVF6N70MJG/D/K/N N MOS 1 F-CellTM VDMOS 3 1.
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100