SVF8NN70FJ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVF8NN70FJ  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 124 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO220F

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SVF8NN70FJ MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SVF8NN70FJ datasheet

 ..1. Size:368K  silan
 svf8n70f svf8n70k svf8nn70fj.pdf pdf_icon

SVF8NN70FJ

 9.1. Size:312K  silan
 svf8n70fjh.pdf pdf_icon

SVF8NN70FJ

SVF8N70FJH 8A 700V N 2 SVF8N70FJH N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2.

 9.2. Size:384K  silan
 svf8n65rmj svf8n65rdtr.pdf pdf_icon

SVF8NN70FJ

SVF8N65RD(MJ) 8A 650V N SVF8N65RD(MJ) N MOS 2 F-CellTM VDMOS 1

 9.3. Size:433K  silan
 svf8n60t svf8n60f.pdf pdf_icon

SVF8NN70FJ

SVF8N60T/F_Datasheet 8A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF8N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SVF7N80FD, SVF7N80K, SVF7N80KL, SVF8N65RDTR, SVF8N65RMJ, SVF8N70F, SVF8N70FJH, SVF8N70K, 2N7000, SVF9N90F, SVFP10N60CFJD, SVFP12N60CFJD, SVFP12N65CFJD, SVFP14N60CFJ, SVFP14N60CFJD, SVFP14N65CFJD, SVFP18N60FJD