SVF8NN70FJ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVF8NN70FJ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SVF8NN70FJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF8NN70FJ даташит

 ..1. Size:368K  silan
 svf8n70f svf8n70k svf8nn70fj.pdf pdf_icon

SVF8NN70FJ

 9.1. Size:312K  silan
 svf8n70fjh.pdf pdf_icon

SVF8NN70FJ

SVF8N70FJH 8A 700V N 2 SVF8N70FJH N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2.

 9.2. Size:384K  silan
 svf8n65rmj svf8n65rdtr.pdf pdf_icon

SVF8NN70FJ

SVF8N65RD(MJ) 8A 650V N SVF8N65RD(MJ) N MOS 2 F-CellTM VDMOS 1

 9.3. Size:433K  silan
 svf8n60t svf8n60f.pdf pdf_icon

SVF8NN70FJ

SVF8N60T/F_Datasheet 8A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF8N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SVF7N80FD, SVF7N80K, SVF7N80KL, SVF8N65RDTR, SVF8N65RMJ, SVF8N70F, SVF8N70FJH, SVF8N70K, 2N7000, SVF9N90F, SVFP10N60CFJD, SVFP12N60CFJD, SVFP12N65CFJD, SVFP14N60CFJ, SVFP14N60CFJD, SVFP14N65CFJD, SVFP18N60FJD