Справочник MOSFET. SVF8NN70FJ

 

SVF8NN70FJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVF8NN70FJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 124 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SVF8NN70FJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVF8NN70FJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  silan
 svf8n70f svf8n70k svf8nn70fj.pdf pdf_icon

SVF8NN70FJ

SVF8N70F/K/FJ 8A700V N 2SVF8N70F/K/FJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

 9.1. Size:312K  silan
 svf8n70fjh.pdf pdf_icon

SVF8NN70FJ

SVF8N70FJH 8A700V N 2SVF8N70FJH N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

 9.2. Size:384K  silan
 svf8n65rmj svf8n65rdtr.pdf pdf_icon

SVF8NN70FJ

SVF8N65RD(MJ) 8A650V N SVF8N65RD(MJ) N MOS 2 F-CellTM VDMOS 1

 9.3. Size:433K  silan
 svf8n60t svf8n60f.pdf pdf_icon

SVF8NN70FJ

SVF8N60T/F_Datasheet 8A, 600V N-CHANNEL MOSFET GENERAL DESCRIPTION SVF8N60T/F is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietaryF-CellTM structure DMOS technology. The improved planar stripe cell and the improved guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF7N80FD , SVF7N80K , SVF7N80KL , SVF8N65RDTR , SVF8N65RMJ , SVF8N70F , SVF8N70FJH , SVF8N70K , IRF9540 , SVF9N90F , SVFP10N60CFJD , SVFP12N60CFJD , SVFP12N65CFJD , SVFP14N60CFJ , SVFP14N60CFJD , SVFP14N65CFJD , SVFP18N60FJD .

History: TSM2N70CP | AOW410 | 7N65KL-TF2-T | BUK9610-100B | MPSA80M850B | RJK0456DPB | LSH60R290HF

 

 
Back to Top

 


 
.