SVFP10N60CFJD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVFP10N60CFJD 📄📄

Código: P10N60CFJD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 28 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: TO220F

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Búsqueda de reemplazo de SVFP10N60CFJD MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

SVFP10N60CFJD datasheet

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SVFP14N60CFJ 14A 600V N 2 SVFP14N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2.