SVFP10N60CFJD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVFP10N60CFJD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
SVFP10N60CFJD Datasheet (PDF)
svfp10n60cfjd.pdf
SVFP10N60CFJD 10A600V N 2SVFP10N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp14n60cfjd.pdf
SVFP14N60CFJD 14A600V N 2SVFP14N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp18n60fjd.pdf
SVFP18N60FJD 18A, 600V N 2SVFP18N60FJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp14n60cfj.pdf
SVFP14N60CFJ 14A600V N 2SVFP14N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.
Otros transistores... SVF7N80KL , SVF8N65RDTR , SVF8N65RMJ , SVF8N70F , SVF8N70FJH , SVF8N70K , SVF8NN70FJ , SVF9N90F , 2SK3878 , SVFP12N60CFJD , SVFP12N65CFJD , SVFP14N60CFJ , SVFP14N60CFJD , SVFP14N65CFJD , SVFP18N60FJD , SVFP4N60CADTR , SVFP4N60CAMJ .
History: SSM6N58NU | IXTQ480P2
History: SSM6N58NU | IXTQ480P2
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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