SVFP10N60CFJD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SVFP10N60CFJD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SVFP10N60CFJD
SVFP10N60CFJD Datasheet (PDF)
svfp10n60cfjd.pdf

SVFP10N60CFJD 10A600V N 2SVFP10N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp14n60cfjd.pdf

SVFP14N60CFJD 14A600V N 2SVFP14N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp18n60fjd.pdf

SVFP18N60FJD 18A, 600V N 2SVFP18N60FJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp14n60cfj.pdf

SVFP14N60CFJ 14A600V N 2SVFP14N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.
Другие MOSFET... SVF7N80KL , SVF8N65RDTR , SVF8N65RMJ , SVF8N70F , SVF8N70FJH , SVF8N70K , SVF8NN70FJ , SVF9N90F , IRF630 , SVFP12N60CFJD , SVFP12N65CFJD , SVFP14N60CFJ , SVFP14N60CFJD , SVFP14N65CFJD , SVFP18N60FJD , SVFP4N60CADTR , SVFP4N60CAMJ .
History: ME75N03-G | TSP840MR | NTD4910N-1G | SVF8N65RDTR | OSG65R125KF | JCS7HN60R
History: ME75N03-G | TSP840MR | NTD4910N-1G | SVF8N65RDTR | OSG65R125KF | JCS7HN60R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n5884 | bc640 | 2sc756 | oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626