SVFP10N60CFJD datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVFP10N60CFJD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVFP10N60CFJD 📄📄

Маркировка: P10N60CFJD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm

Тип корпуса: TO220F

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVFP10N60CFJD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:321K silan
svfp10n60cfjd.pdf pdf_icon

9.1. Size:321K silan
svfp14n60cfjd.pdf pdf_icon

9.2. Size:319K silan
svfp18n60fjd.pdf pdf_icon

9.3. Size:318K silan
svfp14n60cfj.pdf pdf_icon

SVFP14N60CFJ 14A 600V N 2 SVFP14N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 1 3 1. 2.