Справочник MOSFET. SVFP10N60CFJD

 

SVFP10N60CFJD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVFP10N60CFJD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SVFP10N60CFJD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVFP10N60CFJD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:321K  silan
 svfp10n60cfjd.pdf pdf_icon

SVFP10N60CFJD

SVFP10N60CFJD 10A600V N 2SVFP10N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.1. Size:321K  silan
 svfp14n60cfjd.pdf pdf_icon

SVFP10N60CFJD

SVFP14N60CFJD 14A600V N 2SVFP14N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.2. Size:319K  silan
 svfp18n60fjd.pdf pdf_icon

SVFP10N60CFJD

SVFP18N60FJD 18A, 600V N 2SVFP18N60FJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3

 9.3. Size:318K  silan
 svfp14n60cfj.pdf pdf_icon

SVFP10N60CFJD

SVFP14N60CFJ 14A600V N 2SVFP14N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVF7N80KL , SVF8N65RDTR , SVF8N65RMJ , SVF8N70F , SVF8N70FJH , SVF8N70K , SVF8NN70FJ , SVF9N90F , 2SK3878 , SVFP12N60CFJD , SVFP12N65CFJD , SVFP14N60CFJ , SVFP14N60CFJD , SVFP14N65CFJD , SVFP18N60FJD , SVFP4N60CADTR , SVFP4N60CAMJ .

 

 
Back to Top

 


 
.