SVFP12N65CFJD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVFP12N65CFJD 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Encapsulados: TO220F
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SVFP12N65CFJD datasheet
Otros transistores... SVF8N65RMJ, SVF8N70F, SVF8N70FJH, SVF8N70K, SVF8NN70FJ, SVF9N90F, SVFP10N60CFJD, SVFP12N60CFJD, IRFP250N, SVFP14N60CFJ, SVFP14N60CFJD, SVFP14N65CFJD, SVFP18N60FJD, SVFP4N60CADTR, SVFP4N60CAMJ, SVFP7N60CFJD, SVFP7N65CDTR
History: JFFM10N80C | CJPF05N65 | JFFC10N65C | CJQ9435 | IXFN100N10S1 | IXFV12N90P
🌐 : EN ES РУ
Liste
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MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
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