SVFP12N65CFJD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVFP12N65CFJD
Маркировка: P12N65CFJD
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 33 nC
Время нарастания (tr): 46 ns
Выходная емкость (Cd): 156 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SVFP12N65CFJD
SVFP12N65CFJD Datasheet (PDF)
svfp12n65cfjd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVFP12N65CFJD 12A650V N 2SVFP12N65CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp12n60cfjd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVFP12N60CFJD 12A600V N 2SVFP12N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp14n60cfjd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVFP14N60CFJD 14A600V N 2SVFP14N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp10n60cfjd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVFP10N60CFJD 10A600V N 2SVFP10N60CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp18n60fjd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVFP18N60FJD 18A, 600V N 2SVFP18N60FJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
svfp14n60cfj.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVFP14N60CFJ 14A600V N 2SVFP14N60CFJ N MOS F-CellTM VDMOS 13 1. 2.
svfp14n65cfjd.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVFP14N65CFJD 14A650V N 2SVFP14N65CFJD N MOS F-CellTM VDMOS 1 3
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .