SVG069R5NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG069R5NT
Código: 069R5NT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 60 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 17 nC
Tiempo de subida (tr): 54 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 432 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0095 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVG069R5NT
SVG069R5NT Datasheet (PDF)
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SVG069R5ND(MJ)(T) 60A60V N 2SVG069R5ND(MJ)(T) N MOS LVMOS 11 3
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SVG066R5NSA 16.5A60V N 5 6 7 8SVG066R5NSA N MOS 4. 123. LVMOS 5678.
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SVG063R5NL5 130A60V N S D1SVG063R5NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
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