Справочник MOSFET. SVG069R5NT

 

SVG069R5NT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SVG069R5NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 432 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SVG069R5NT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SVG069R5NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  silan
 svg069r5ndtr svg069r5nmj svg069r5nt.pdf pdf_icon

SVG069R5NT

SVG069R5ND(MJ)(T) 60A60V N 2SVG069R5ND(MJ)(T) N MOS LVMOS 11 3

 9.1. Size:320K  silan
 svg066r5nsa.pdf pdf_icon

SVG069R5NT

SVG066R5NSA 16.5A60V N 5 6 7 8SVG066R5NSA N MOS 4. 123. LVMOS 5678.

 9.2. Size:409K  silan
 svg063r5nl5.pdf pdf_icon

SVG069R5NT

SVG063R5NL5 130A60V N S D1SVG063R5NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

 9.3. Size:415K  silan
 svg062r8nl5.pdf pdf_icon

SVG069R5NT

SVG062R8NL5 140A60V N S D1SVG062R8NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SVG041R7NL5 , SVG042R1NL5 , SVG042R5NL5 , SVG062R8NL5 , SVG063R5NL5 , SVG066R5NSA , SVG069R5NDTR , SVG069R5NMJ , 20N50 , SVG075R5NT , SVG076R5NDTR , SVG076R5NKL , SVG076R5NS , SVG076R5NSTR , SVG076R5NT , SVG083R4NP7 , SVG083R4NS .

History: SVG036R3NL3 | STW32N55M5 | BUK7M10-40E | SVF8NN70FJ | SDF360JEA | SDF6N60JAA | APM4435K

 

 
Back to Top

 


 
.