SVG069R5NT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SVG069R5NT
Маркировка: 069R5NT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17 nC
trⓘ - Время нарастания: 54 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 432 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SVG069R5NT Datasheet (PDF)
svg069r5ndtr svg069r5nmj svg069r5nt.pdf
SVG069R5ND(MJ)(T) 60A60V N 2SVG069R5ND(MJ)(T) N MOS LVMOS 11 3
svg066r5nsa.pdf
SVG066R5NSA 16.5A60V N 5 6 7 8SVG066R5NSA N MOS 4. 123. LVMOS 5678.
svg063r5nl5.pdf
SVG063R5NL5 130A60V N S D1SVG063R5NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg062r8nl5.pdf
SVG062R8NL5 140A60V N S D1SVG062R8NL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: SVS11N60SD2 | CEB84A4 | UT3N01Z | SVG103R0NP7 | SVGP104R5NASTR
History: SVS11N60SD2 | CEB84A4 | UT3N01Z | SVG103R0NP7 | SVGP104R5NASTR
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor