SVG083R4NP7 Todos los transistores

 

SVG083R4NP7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVG083R4NP7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 925 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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SVG083R4NP7 Datasheet (PDF)

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SVG083R4NP7

SVG083R4NT(S)(P7) 120A80V N 2 SVG083R4NT(S)(P7) N MOS LVMOS 11 3

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SVG083R4NP7

SVG083R6NAL5 138A80V N S D1SVG083R6NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

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SVG083R4NP7

SVG085R9NT 100A80V N 2SVG085R9NT N MOS LVMOS 1 3

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SVG083R4NP7

SVG087R0NT 95A80V N 2SVG087R0NT N MOS LVMOS 1 3

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History: FQPF9N50T | AP9962AGP-HF | 2SK2965

 

 
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