SVG083R4NP7 datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVG083R4NP7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVG083R4NP7 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 925 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm

Тип корпуса: TO247

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVG083R4NP7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

7.1. Size:420K silan
svg083r6nal5.pdf pdf_icon

SVG083R6NAL5 138A 80V N S D 1 SVG083R6NAL5 N MOS 8 LVMOS S D 2 7 D S 3 6

9.1. Size:481K silan
svg085r9nt.pdf pdf_icon

9.2. Size:330K silan
svg087r0nt.pdf pdf_icon