SVG085R9NT Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVG085R9NT  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 109 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 458 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm

Encapsulados: TO220

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SVG085R9NT MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SVG085R9NT datasheet

 ..1. Size:481K  silan
 svg085r9nt.pdf pdf_icon

SVG085R9NT

 9.1. Size:330K  silan
 svg087r0nt.pdf pdf_icon

SVG085R9NT

 9.2. Size:420K  silan
 svg083r6nal5.pdf pdf_icon

SVG085R9NT

SVG083R6NAL5 138A 80V N S D 1 SVG083R6NAL5 N MOS 8 LVMOS S D 2 7 D S 3 6

 9.3. Size:434K  silan
 svg086r0nt svg086r0ns svg086r0nstr svg086r0ndtr svg086r0nl5tr.pdf pdf_icon

SVG085R9NT

SVG086R0NT(S)(D)(L5) 120A 80V N 2 S D 1 8 SVG086R0NT(S)(D)(L5) N MOS S 2 7 D 1 LVMOS D S 3 6 G 4 5 D 3

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... SVG076R5NS, SVG076R5NSTR, SVG076R5NT, SVG083R4NP7, SVG083R4NS, SVG083R4NSTR, SVG083R4NT, SVG083R6NAL5, SI2302, SVG086R0NDTR, SVG086R0NL5TR, SVG086R0NS, SVG086R0NSTR, SVG086R0NT, SVG086R5NT, SVG087R0NT, SVG094R1NKL