SVG085R9NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG085R9NT
Código: 085R9NT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 109 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 100 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 45 nC
Tiempo de subida (tr): 27 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 458 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0059 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVG085R9NT
SVG085R9NT Datasheet (PDF)
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SVG083R4NT(S)(P7) 120A80V N 2 SVG083R4NT(S)(P7) N MOS LVMOS 11 3
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