Справочник MOSFET. SVG085R9NT

 

SVG085R9NT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SVG085R9NT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 109 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 458 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0059 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для SVG085R9NT

 

 

SVG085R9NT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  silan
 svg085r9nt.pdf

SVG085R9NT SVG085R9NT

SVG085R9NT 100A80V N 2SVG085R9NT N MOS LVMOS 1 3

 9.1. Size:330K  silan
 svg087r0nt.pdf

SVG085R9NT SVG085R9NT

SVG087R0NT 95A80V N 2SVG087R0NT N MOS LVMOS 1 3

 9.2. Size:420K  silan
 svg083r6nal5.pdf

SVG085R9NT SVG085R9NT

SVG083R6NAL5 138A80V N S D1SVG083R6NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6

 9.3. Size:434K  silan
 svg086r0nt svg086r0ns svg086r0nstr svg086r0ndtr svg086r0nl5tr.pdf

SVG085R9NT SVG085R9NT

SVG086R0NT(S)(D)(L5) 120A80V N 2S D1 8SVG086R0NT(S)(D)(L5) N MOS S 2 7 D1 LVMOS DS 3 6G 4 5 D 3

 9.4. Size:415K  silan
 svg083r4nt svg083r4ns svg083r4nstr svg083r4np7.pdf

SVG085R9NT SVG085R9NT

SVG083R4NT(S)(P7) 120A80V N 2 SVG083R4NT(S)(P7) N MOS LVMOS 11 3

 9.5. Size:328K  silan
 svg086r5nt.pdf

SVG085R9NT SVG085R9NT

SVG086R5NT 120A85V N 2SVG086R5NT N MOS LVMOS 1 3

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top