SVG085R9NT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVG085R9NT
Маркировка: 085R9NT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 109 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
Время нарастания (tr): 27 ns
Выходная емкость (Cd): 458 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0059 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SVG085R9NT
SVG085R9NT Datasheet (PDF)
9.2. Size:420K silan
svg083r6nal5.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svg083r6nal5.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVG083R6NAL5 138A80V N S D1SVG083R6NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
9.3. Size:434K silan
svg086r0nt svg086r0ns svg086r0nstr svg086r0ndtr svg086r0nl5tr.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svg086r0nt svg086r0ns svg086r0nstr svg086r0ndtr svg086r0nl5tr.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVG086R0NT(S)(D)(L5) 120A80V N 2S D1 8SVG086R0NT(S)(D)(L5) N MOS S 2 7 D1 LVMOS DS 3 6G 4 5 D 3
9.4. Size:415K silan
svg083r4nt svg083r4ns svg083r4nstr svg083r4np7.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svg083r4nt svg083r4ns svg083r4nstr svg083r4np7.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVG083R4NT(S)(P7) 120A80V N 2 SVG083R4NT(S)(P7) N MOS LVMOS 11 3
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .