SVG086R0NSTR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG086R0NSTR
Código: 086RONS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 66 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVG086R0NSTR
SVG086R0NSTR Datasheet (PDF)
svg086r0nt svg086r0ns svg086r0nstr svg086r0ndtr svg086r0nl5tr.pdf
SVG086R0NT(S)(D)(L5) 120A80V N 2S D1 8SVG086R0NT(S)(D)(L5) N MOS S 2 7 D1 LVMOS DS 3 6G 4 5 D 3
svg083r6nal5.pdf
SVG083R6NAL5 138A80V N S D1SVG083R6NAL5 N MOS 8 LVMOS S D2 7 DS 3 6
svg083r4nt svg083r4ns svg083r4nstr svg083r4np7.pdf
SVG083R4NT(S)(P7) 120A80V N 2 SVG083R4NT(S)(P7) N MOS LVMOS 11 3
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Liste
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