SVG086R0NSTR datasheet, аналоги, параметры транзистора

SVG086R0NSTR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SVG086R0NSTR 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO263

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для SVG086R0NSTR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

SVG086R0NT(S)(D)(L5) 120A 80V N 2 S D 1 8 SVG086R0NT(S)(D)(L5) N MOS S 2 7 D 1 LVMOS D S 3 6 G 4 5 D 3

7.1. Size:328K silan
svg086r5nt.pdf pdf_icon

9.1. Size:481K silan
svg085r9nt.pdf pdf_icon

9.2. Size:330K silan
svg087r0nt.pdf pdf_icon