SVG094R1NT Todos los transistores

 

SVG094R1NT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SVG094R1NT
   Código: 094R1NT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 219 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 90 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 98 nC
   Tiempo de subida (tr): 34 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 866 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SVG094R1NT

 

SVG094R1NT Datasheet (PDF)

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SVG094R1NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG094R1NT(S)(KL) N MOS LVMOS 1

 9.1. Size:339K  silan
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SVG096R5NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG096R5NT(S)(KL) N MOS 1 LVMOS 3

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