SVG094R1NT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SVG094R1NT
Маркировка: 094R1NT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 219 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 90 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 98 nC
Время нарастания (tr): 34 ns
Выходная емкость (Cd): 866 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0041 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SVG094R1NT
SVG094R1NT Datasheet (PDF)
..1. Size:378K silan
svg094r1nt svg094r1ns svg094r1nstr svg094r1nkl.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svg094r1nt svg094r1ns svg094r1nstr svg094r1nkl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVG094R1NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG094R1NT(S)(KL) N MOS LVMOS 1
9.1. Size:339K silan
svg096r5nt svg096r5ns svg096r5nkl.pdf![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
svg096r5nt svg096r5ns svg096r5nkl.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
SVG096R5NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG096R5NT(S)(KL) N MOS 1 LVMOS 3
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .