SVG096R5NS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG096R5NS 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 90 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Encapsulados: TO263
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de SVG096R5NS MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
SVG096R5NS datasheet
Otros transistores... SVG086R0NSTR, SVG086R0NT, SVG086R5NT, SVG087R0NT, SVG094R1NKL, SVG094R1NS, SVG094R1NSTR, SVG094R1NT, AO3400A, SVG096R5NKL, SVG096R5NT, SVG10120NADTR, SVG10120NAT, SVG10120NSA, SVG103R0NKL, SVG103R0NP7, SVG103R0NS
History: SLF7N70C | SVG094R1NSTR
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q | ASDM30N75KQ | ASDM30N150Q
Popular searches
mpsa65 | 2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947
