SVG096R5NS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SVG096R5NS  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 90 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO263

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SVG096R5NS MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SVG096R5NS datasheet

 ..1. Size:339K  silan
svg096r5nt svg096r5ns svg096r5nkl.pdf pdf_icon

SVG096R5NS

Otros transistores... SVG086R0NSTR, SVG086R0NT, SVG086R5NT, SVG087R0NT, SVG094R1NKL, SVG094R1NS, SVG094R1NSTR, SVG094R1NT, AO3400A, SVG096R5NKL, SVG096R5NT, SVG10120NADTR, SVG10120NAT, SVG10120NSA, SVG103R0NKL, SVG103R0NP7, SVG103R0NS