SVG096R5NS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SVG096R5NS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 90 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 550 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de SVG096R5NS MOSFET
SVG096R5NS Datasheet (PDF)
svg096r5nt svg096r5ns svg096r5nkl.pdf
SVG096R5NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG096R5NT(S)(KL) N MOS 1 LVMOS 3
svg094r1nt svg094r1ns svg094r1nstr svg094r1nkl.pdf
SVG094R1NT(S)(KL) 120A90V N 2SVG094R1NT(S)(KL) N MOS LVMOS 1
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History: TTG65N10A | APM4303KC
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